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GermanyBSS209PW
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSS209PW
Explicación
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
Descripción detallada
P-Channel 20 V 580mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
580mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
89.9 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT323
Package / Case
SC-70, SOT-323
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
BSS209PWINCT-NDR
BSS209PWXTINTR-ND
SP000013478
BSS209PWXT
BSS209PWXTINCT
BSS209PWINTR
BSS209PWINTR-NDR
BSS209PWXTINTR
BSS209PWXTINCT-ND
BSS209PWINCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS209PW
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSS209PW)
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1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSS209PW)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PMF170XP,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 141,782
Precio unitario : $0.33000
Tipo de reemplazo : Similar
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