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GermanyIPP65R660CFDAAKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPP65R660CFDAAKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP65R660CFDAAKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx65R660CFDA)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx65R660CFDA)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFDA Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDP12N60NZ
Fabricante : Flip Electronics
Cantidad disponible : 4,001
Precio unitario : $6.34000
Tipo de reemplazo : Similar
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Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 1,993
Precio unitario : $1.73000
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Modelo de producto : STP12NK80Z
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Cantidad disponible : 707
Precio unitario : $3.68000
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