Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FDMS7694
Explicación
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción detallada
N-Channel 30 V 13.2A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
943
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.2A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1410 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN

Clasificaciones medioambientales y de exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Otros nombres

ONSFSCFDMS7694
2156-FDMS7694

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDMS7694

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 943
Precio unitario: $0.32
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 943

Alternativas

-