English
China
Rusia
Italy
GermanyFDS3612
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDS3612
Explicación
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Descripción detallada
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
452
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFDS3612
2156-FDS3612
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDS3612
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDS3612)
Cantidad y precio
Cantidad: 452
Precio unitario: $0.66
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 452
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 452
Alternativas
-