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GermanyIRL3103D1PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRL3103D1PBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 30 V 64A (Tc) 2W (Ta), 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
FETKY™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL3103D1PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL3103D1PbF)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRL3103D1PbF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PSMN022-30PL,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 8,226
Precio unitario : $2,156.00000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $2,156.00000
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