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GermanySQJQ900E-T1_GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SQJQ900E-T1_GE3
Explicación
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Descripción detallada
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
18 Weeks
Modelo edacad
SQJQ900E-T1_GE3 Models
Embalaje estándar
2,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 20V
Power - Max
75W
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Base Product Number
SQJQ900
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SQJQ900E-T1_GE3DKR
SQJQ900E-T1_GE3TR
SQJQ900E-T1_GE3CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SQJQ900E Datasheet)
HTML Datasheet
1(SQJQ900E Datasheet)
EDA Models
1(SQJQ900E-T1_GE3 Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 6000
Precio unitario: $1.11685
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000
Cantidad: 2000
Precio unitario: $1.16048
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000
Alternativas
-