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GermanySPI08N50C3XKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPI08N50C3XKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
560 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
SPI08N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPI08N50C3
SPI08N50C3IN-ND
IFEINFSPI08N50C3XKSA1
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
2156-SPI08N50C3XKSA1-IT
SP000680984
SPI08N50C3XK
SPI08N50C3X
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SP(P,I,A)08N50C3)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(P,I,A)08N50C3)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFSL9N60APBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 900
Precio unitario : $2.75000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 900
Precio unitario : $2.75000
Tipo de reemplazo : Direct