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GermanyR6530ENZC8
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
R6530ENZC8
Explicación
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
R6530
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor R6530ENZC8
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(R6530ENZ)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 26/Jan/2020)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : R6530ENZC17
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 300
Precio unitario : $6.25000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 300
Precio unitario : $6.25000
Tipo de reemplazo : Similar