English
China
Rusia
Italy
GermanySTB20N60M2-EP
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STB20N60M2-EP
Explicación
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 13A (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ M2-EP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
STB20
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STB20N60M2-EP
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
-