Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
HUF76009D3ST
Explicación
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Descripción detallada
N-Channel 20 V 20A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,110
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FAIFSCHUF76009D3ST
2156-HUF76009D3ST-FSTR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF76009D3ST

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(HUF76009D3ST)

Cantidad y precio

Cantidad: 1110
Precio unitario: $0.27
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1110

Alternativas

-