English
China
Rusia
Italy
GermanyNDS9958
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NDS9958
Explicación
MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
525pF @ 10V
Power - Max
900mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
NDS995
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
NDS9958TR
NDS9958TR-NDR
NDS9958CT
NDS9958CT-NDR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi NDS9958
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NDS9958)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NDS9958)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-