Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
MMIX1F40N110P
Explicación
MOSFET N-CH 1100V 24A 24SMPD
Descripción detallada
N-Channel 1100 V 24A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
98 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, PolarP2™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
24-SMPD
Package / Case
24-PowerSMD, 21 Leads
Base Product Number
MMIX1F40

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS MMIX1F40N110P

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(MMIX1F40N110P)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(MMIX1F40N110P)

Cantidad y precio

Cantidad: 20
Precio unitario: $53.3925
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 20

Alternativas

-