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GermanyRFP2N08
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RFP2N08
Explicación
N-CHANNEL, MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 80 V 2A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,110
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-RFP2N08
HARHARRFP2N08
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFP2N08
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 1110
Precio unitario: $0.27
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1110
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1110
Alternativas
-