English
China
Rusia
Italy
GermanyBSO612CV
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSO612CV
Explicación
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Descripción detallada
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Base Product Number
BSO612
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSO612CVINCT
SP000012292
BSO612CVINTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies BSO612CV
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSO612CV)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSO612CV)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF7343TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 24,474
Precio unitario : $1.13000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 24,474
Precio unitario : $1.13000
Tipo de reemplazo : Similar