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GermanyIPG20N04S409ATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPG20N04S409ATMA1
Explicación
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Descripción detallada
Mosfet Array 40V 20A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 22µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Power - Max
54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Base Product Number
IPG20N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPG20N04S409ATMA1-ND
448-IPG20N04S409ATMA1CT
448-IPG20N04S409ATMA1DKR
SP000705570
2156-IPG20N04S409ATMA1
INFINFIPG20N04S409ATMA1
448-IPG20N04S409ATMA1TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IPG20N04S409ATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPG20N04S4-09)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPG20N04S409AATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,000
Precio unitario : $1.52000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
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Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Modelo de producto : DMTH4007SPD-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 4,268
Precio unitario : $1.29000
Tipo de reemplazo : Similar
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