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GermanySTP80N70F6
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STP80N70F6
Explicación
MOSFET N-CH 68V 96A TO220
Descripción detallada
N-Channel 68 V 96A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
STP80N70F6 Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
68 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
STP80
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
497-13554-5
-497-13554-5
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STP80N70F6
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Cantidad y precio
-
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