APT70SM70B

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

APT70SM70B

Explicación

SICFET N-CH 700V 65A TO247

Descripción detallada

N-Channel 700 V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Fabricación

Microsemi Corporation

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

1

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Microsemi Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

65A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 32.5A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -10V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-247 [B]

Package / Case

TO-247-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

150-APT70SM70B

APT70SM70B-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT70SM70B

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information

()

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Devices 16/Oct/2017)

HTML Datasheet

1(APT70SM70(B,S))

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

APT70SM70B

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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