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GermanyIPB65R420CFDATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPB65R420CFDATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 340µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPB65R420CFDCT-ND
IPB65R420CFDATMA1DKR
2156-IPB65R420CFDATMA1-ITTR
IPB65R420CFDTR-ND
IPB65R420CFD-ND
IPB65R420CFD
SP000890680
IPB65R420CFDATMA1-ND
IPB65R420CFDATMA1TR
IPB65R420CFDCT
IPB65R420CFDDKR-ND
IFEINFIPB65R420CFDATMA1
IPB65R420CFDATMA1CT
IPB65R420CFDDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB65R420CFDATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx65R420CFD)
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Cantidad y precio
-
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