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GermanyIDB10S60C
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IDB10S60C
Explicación
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3
Descripción detallada
Diode 600 V 10A Surface Mount PG-TO263-3-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™+
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 10 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
140 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
480pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
IDB10
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
IDB10S60CATMA1
SP000411540
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Infineon Technologies IDB10S60C
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IDB10S60C)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IDB10S60C)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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