Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFSL9N60A
Explicación
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262-3
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRFSL9

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

*IRFSL9N60A
Q1383518

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFSL9N60A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFSL9N60A)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFSL9N60APBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.75000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : AOW11N60
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 773
Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STD5NM60-1
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 77
Precio unitario : $2.65000
Tipo de reemplazo : Similar