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GermanyFQA9N90-F109
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQA9N90-F109
Explicación
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Descripción detallada
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
450
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PN
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
FQA9
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-ND
2832-FQA9N90-F109
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQA9N90-F109
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQA9N90-F109 Datasheet)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mold compound change 17/Sep/2019)
PCN Packaging
()
PCN Part Number
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SK1317-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 5,607
Precio unitario : $6.59000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 5,607
Precio unitario : $6.59000
Tipo de reemplazo : Similar