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GermanyBSS225H6327XTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSS225H6327XTSA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Descripción detallada
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
131 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT89
Package / Case
TO-243AA
Base Product Number
BSS225
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS225H6327XTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSS225)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BSS225)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSS225H6327FTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 5,690
Precio unitario : $0.63000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 5,690
Precio unitario : $0.63000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent