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GermanyNTP110N65S3HF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTP110N65S3HF
Explicación
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
NTP110N65S3HF Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
FRFET®, SuperFET® III
Package
Bulk
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 740µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2635 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
NTP110
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NTP110N65S3HF-ND
NTP110N65S3HFOS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTP110N65S3HF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTP110N65S3HF)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 23/Oct/2023)
HTML Datasheet
1(NTP110N65S3HF)
EDA Models
1(NTP110N65S3HF Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-