English
China
Rusia
Italy
GermanyIRL1004L
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRL1004L
Explicación
MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Descripción detallada
N-Channel 40 V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL1004L
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL1004S, IRL1004L)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRL1004S, IRL1004L)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BUK7E8R3-40E,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 91
Precio unitario : $1.31000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 91
Precio unitario : $1.31000
Tipo de reemplazo : Similar