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GermanyIPI50R350CP
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI50R350CP
Explicación
MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 550 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000236084
2156-IPI50R350CP
ROCINFIPI50R350CP
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI50R350CP
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPI50R350CP)
Other Related Documents
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Product Training Modules
1(Power Factor Correction)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPI50R350CP)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STP18N55M5
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 971
Precio unitario : $3.10000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $3.10000
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