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GermanyIPW65R310CFDFKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPW65R310CFDFKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104.2W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPW65R310CFD
SP000890688
INFINFIPW65R310CFDFKSA1
IPW65R310CFD-ND
2156-IPW65R310CFDFKSA1-IT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW65R310CFDFKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx65R310CFD)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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Precio unitario : $4.71000
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Cantidad disponible : 314
Precio unitario : $6.86000
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $5.26930
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