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Germany2SA965-O(TE6,F,M)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SA965-O(TE6,F,M)
Explicación
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Power - Max
900 mW
Frequency - Transition
120MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
TO-92MOD
Base Product Number
2SA965
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2SA965OTE6FM
2SA965-O(TE6FM)
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O(TE6,F,M)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SA965)
HTML Datasheet
1(2SA965)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SA1201-Y(TE12L,ZC
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 788
Precio unitario : $0.51000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 788
Precio unitario : $0.51000
Tipo de reemplazo : Similar