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GermanyBSP295L6327HTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSP295L6327HTSA1
Explicación
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Descripción detallada
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
368 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-21
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSP295L6327
BSP295L6327INTR-ND
BSP295L6327INDKR-ND
BSP295 L6327
BSP295L6327INTR
BSP295L6327HTSA1CT
BSP295L6327HTSA1DKR
BSP295L6327XT
BSP295 L6327-ND
2156-BSP295L6327HTSA1
BSP295L6327HTSA1TR
IFEINFBSP295L6327HTSA1
BSP295L6327INDKR
SP000089210
BSP295L6327INCT-ND
BSP295L6327INCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP295L6327HTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSP295)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Infineon Technologies
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Precio unitario : $0.85000
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