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GermanyNTHS5441T1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTHS5441T1G
Explicación
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Descripción detallada
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 5 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
ChipFET™
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Base Product Number
NTHS5441
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
488-NTHS5441T1GDKR
NTHS5441T1GOSTR
NTHS5441T1GOSTR-ND
ONSONSNTHS5441T1G
NTHS5441T1GOS-ND
2156-NTHS5441T1G-OS
NTHS5441T1GOS
NTHS5441T1GOSCT-ND
488-NTHS5441T1GCT
488-NTHS5441T1GTR
=NTHS5441T1GOSCT-ND
NTHS5441T1GOSCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTHS5441T1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTHS5441)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Obsolete Notice 15/Dec/2022)
PCN Packaging
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML Datasheet
1(NTHS5441)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $1.13
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-