PH6030L,115

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

PH6030L,115

Explicación

MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56

Descripción detallada

N-Channel 30 V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Fabricación

NXP USA Inc.

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

1,500

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

NXP USA Inc.

Series

-

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

76.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.2 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2260 pF @ 12 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

LFPAK56, Power-SO8

Package / Case

SC-100, SOT-669

Base Product Number

PH60

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

PH6030L T/R-ND

PH6030L T/R

934061643115

954-PH6030L115

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PH6030L,115

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(PH6030L)

Environmental Information

()

PCN Packaging

1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)

HTML Datasheet

1(PH6030L)