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GermanyIPD65R250C6XTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD65R250C6XTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 16.1A (Tc) 208.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
-
Base Product Number
IPD65R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD65R250C6XTMA1CT
ROCINFIPD65R250C6XTMA1
2156-IPD65R250C6XTMA1
IPD65R250C6XTMA1DKR
IPD65R250C6XTMA1TR
SP000898654
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD65R250C6XTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD65R250C6)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IPD65R250C6)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD65R225C7ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
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Precio unitario : $2.57000
Tipo de reemplazo : Similar
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Modelo de producto : STD16N65M5
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Modelo de producto : STD18N65M5
Fabricante : STMicroelectronics
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Precio unitario : $2.96000
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Precio unitario : $2.96000
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