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GermanyFF150R12ME3GBOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF150R12ME3GBOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 200A 695W
Descripción detallada
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
EconoDUAL™
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Power - Max
695 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
10.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF150R12M
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFFF150R12ME3GBOSA1
2156-FF150R12ME3GBOSA1
FF150R12ME3G-ND
SP000317332
FF150R12ME3G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FF150R12ME3G)
HTML Datasheet
1(FF150R12ME3G)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $118.472
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 10
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 10
Alternativas
Modelo de producto : FF150R12ME3GBOSA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 777
Precio unitario : $123.69000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 777
Precio unitario : $123.69000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent