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GermanyIRF7769L2TR1PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7769L2TR1PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric L8
Package / Case
DirectFET™ Isometric L8
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF7769L2TR1PBFCT
SP001566410
IRF7769L2TR1PBFDKR
IRF7769L2TR1PBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7769L2TR1PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF7769L2PbF)
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HTML Datasheet
1(IRF7769L2PbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : AUIRF7769L2TR
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 7,950
Precio unitario : $9.44000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 7,950
Precio unitario : $9.44000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent