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GermanyIRF7492
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7492
Explicación
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Descripción detallada
N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
95
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
79mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRF7492
SP001559928
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF7492
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF7492)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF7492)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDS2672
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 2,291
Precio unitario : $1.87000
Tipo de reemplazo : Direct
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Modelo de producto : SI4490DY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 3,553
Precio unitario : $2.12000
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.70000
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