English
China
Rusia
Italy
GermanyIXFT86N30T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFT86N30T
Explicación
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
Descripción detallada
N-Channel 300 V 86A (Tc) 860W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
45 Weeks
Modelo edacad
IXFT86N30T Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
860W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268AA
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number
IXFT86
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFT86N30T
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXF(H,T)86N30T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXF(H,T)86N30T)
EDA Models
1(IXFT86N30T Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 300
Precio unitario: $7.07387
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Alternativas
-