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GermanyIXFR12N100
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFR12N100
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 10A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ISOPLUS247™
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFR12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IXFR12N100-NDR
Q1157068A
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFR12N100
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXFR12N100Q
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar