Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BAV21 A0G
Explicación
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
Descripción detallada
Diode 250 V 200mA Through Hole DO-35
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
BAV21 A0G Models
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
Active
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
250 V
Current - Average Rectified (Io)
200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 200 mA
Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 250 V
Capacitance @ Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package
DO-35
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
BAV21

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

Otros nombres

BAV21A0G
BAV21 A0G-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Taiwan Semiconductor Corporation BAV21 A0G

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BAV21 A0G)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(Mult Dev Des/MPN Update 28/Feb/2023)
EDA Models
1(BAV21 A0G Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : 1N645-1
Fabricante : Microchip Technology
Cantidad disponible : 13,676
Precio unitario : $1.96000
Tipo de reemplazo : Similar