English
China
Rusia
Italy
GermanyBSM75GAR120DN2HOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM75GAR120DN2HOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 30A 235W
Descripción detallada
IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 30 A 235 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Power - Max
235 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Current - Collector Cutoff (Max)
400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM75GAR120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFBSM75GAR120DN2HOSA1
2156-BSM75GAR120DN2HOSA1
SP000100462
BSM75GAR120DN2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM75GAR120DN2HOSA1
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : DF150R12RT4HOSA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 811
Precio unitario : $95.33000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 811
Precio unitario : $95.33000
Tipo de reemplazo : Similar