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Germany2N6764T1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N6764T1
Explicación
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Descripción detallada
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3
Package / Case
TO-204AE
Base Product Number
2N6764
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
150-2N6764T1
2N6764T1-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation 2N6764T1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2N6764,66,68,70)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(2N6764,66,68,70)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-