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GermanyFQA13N50C
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQA13N50C
Explicación
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
133
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
218W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFQA13N50C
2156-FQA13N50C-FS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQA13N50C
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQA13N50C)
Cantidad y precio
Cantidad: 133
Precio unitario: $2.26
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 133
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 133
Alternativas
-