Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SIHG80N60EF-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Descripción detallada
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
28 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG80

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG80N60EF-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SIHG80N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG80N60EF)

Cantidad y precio

Cantidad: 1000
Precio unitario: $9.51997
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 500
Precio unitario: $10.37892
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 100
Precio unitario: $11.4526
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 25
Precio unitario: $12.1684
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $15.03
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-
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