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GermanyHN4B04J(TE85L,F)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HN4B04J(TE85L,F)
Explicación
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 100mA, 1V
Power - Max
300mW
Frequency - Transition
200MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-74A, SOT-753
Supplier Device Package
SMV
Base Product Number
HN4B04
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
HN4B04JTE85LF
HN4B04J(TE85LF)CT
HN4B04J(TE85LF)DKR
HN4B04J(TE85LF)TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/Toshiba Semiconductor and Storage HN4B04J(TE85L,F)
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
-