English
China
Rusia
Italy
GermanyMJE16004
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MJE16004
Explicación
MAX II POWER TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 80 W Through Hole TO-220AB
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
533
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
7 @ 5A, 5V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-MJE16004
ONSONSMJE16004
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJE16004
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 533
Precio unitario: $0.56
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 533
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 533
Alternativas
-