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GermanyIPD80N06S3-09
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD80N06S3-09
Explicación
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD80N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IPD80N06S3-09-ITTR
SP000264473
INFINFIPD80N06S3-09
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD80N06S3-09
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD80N06S3-09)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD80N06S3-09)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STD65N55F3
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 2,490
Precio unitario : $2.31000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,490
Precio unitario : $2.31000
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