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GermanyBS107PSTOB
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BS107PSTOB
Explicación
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Descripción detallada
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Package / Case
E-Line-3
Base Product Number
BS107
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated BS107PSTOB
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BS107P)
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-