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GermanyFF800R17KE3B2NOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF800R17KE3B2NOSA1
Explicación
IGBT MODULE 1700V 800A
Descripción detallada
IGBT Module 2 Independent 1700 V 1200 A 5200 W Chassis Mount A-IHV130-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
IHM-B
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1200 A
Power - Max
5200 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 800A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
72 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
A-IHV130-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FF800R17KE3B2NOSA1-448
SP000083562
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF800R17KE3B2NOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FF800R17KE3_B2)
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1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(FF800R17KE3_B2)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FF800R17KP4B2NOSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2
Precio unitario : $993.96000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 2
Precio unitario : $993.96000
Tipo de reemplazo : Direct