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GermanySTP16NK65Z
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STP16NK65Z
Explicación
MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 650 V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
SuperMESH™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
STP16N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
497-4119-5-NDR
-497-4119-5
1805-STP16NK65Z
497-4119-5
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STP16NK65Z
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(STP16NK65Z(-S))
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
HTML Datasheet
1(STP16NK65Z(-S))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPP65R420CFDXKSA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 333
Precio unitario : $64.03381
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 333
Precio unitario : $64.03381
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