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GermanyIRFS33N15DPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFS33N15DPBF
Explicación
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRFS33N15DPBF Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRFS33N15DPBF
SP001571762
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS33N15DPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF)
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1(IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF)
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1(IRFS33N15DPBF Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FDB2572
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 680
Precio unitario : $2.08000
Tipo de reemplazo : Similar
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