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GermanyNE3512S02-T1C-A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NE3512S02-T1C-A
Explicación
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Descripción detallada
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB S02
Fabricación
CEL
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
CEL
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
GaAs HJ-FET
Frequency
12GHz
Gain
13.5dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
70mA
Noise Figure
0.35dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
-
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
S02
Base Product Number
NE3512
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
NE3512S02-T1C-ATR
NE3512S02-T1C-A-ND
NE3512S02T1CA
NE3512S02-T1C-ADKR
NE3512S02-T1C-ACT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3512S02-T1C-A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RF Wireless Brochure)
PCN Obsolescence/ EOL
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : CE3512K2-C1
Fabricante : CEL
Cantidad disponible : 6,563
Precio unitario : $1.07000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 6,563
Precio unitario : $1.07000
Tipo de reemplazo : Similar