Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQU4N50TU
Explicación
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
398
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FQU4N50TU-FS
FAIFSCFQU4N50TU

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQU4N50TU

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQU4N50TU)

Cantidad y precio

Cantidad: 398
Precio unitario: $0.75
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 398

Alternativas

-